曾偉雄，博士，1971年生，臺灣國立大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)博士。
主要經(jīng)歷：
2000年8月-2002年4月 臺灣積體電路制造股份有限公司 主任工程師
2002年4月-2007年7月 臺灣積體電路制造股份有限公司 技術(shù)經(jīng)理
2007年7月-2010年7月 歐洲微電子研究中心 技術(shù)經(jīng)理
2012年6月-2017年5月 韓國三星電子半導(dǎo)體研發(fā)中心 首席工程師
2017年7月-2018年5月 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)（上海）有限公司 技術(shù)總監(jiān)
2018年9月-至今 芯恩（青島）集成電路有限公司 院士
近五年來從事科研工作的主要成果：
?1.January24, 2017, Semiconductor device and method for fabricating the same
?2.March15, 2016, Semiconductor device and method for fabricating the same
?3.6 May 2011, Study of nitrogen impact on VFB-EOT roll-off by varying interfacial SiO2 thickness, Solid-State Electronics
?4.2011 ON THE ORIGIN OF THE MOBILITY REDUCTION IN BULK-SI, UTBOX-FDSOI AND SIGE DEVICES WITH ULTRATHIN-EOT DIELECTRICS, IEEE
?5.November 9, 2010, High-K dielectric metal gate device structure
?6.2010, A Low Operating Power FinFET Transistor Module Featuring Scaled Gate Stack and Strain Engineering for 32/28nm SoC Technology, IEEE
?7.2010, Implant-Free SiGe Quantum Well pFET: A novel, highly scalable and low thermal budget device, featuring raised source/drain and high-mobility channel, IEEE
?8.2010, High-Mobility 0.85nm-EOT Si0.45Ge0.55-pFETs: Delivering high performance at scaled VDD IEEE
?9.2010, 6Å EOT Si0.45Ge0.55 pMOSFET with Optimized Reliability (VDD=1V): Meeting the NBTI Lifetime Target at Ultra-Thin EOT, IEEE
?10.Dec1, 2009, High-k dielectric metal gate device structure and method for forming the same
