
曾偉雄,博士,1971年生,臺灣國立大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)博士。
主要經(jīng)歷:
2000年8月-2002年4月 臺灣積體電路制造股份有限公司 主任工程師
2002年4月-2007年7月 臺灣積體電路制造股份有限公司 技術(shù)經(jīng)理
2007年7月-2010年7月 歐洲微電子研究中心 技術(shù)經(jīng)理
2012年6月-2017年5月 韓國三星電子半導(dǎo)體研發(fā)中心 首席工程師
2017年7月-2018年5月 中芯國際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司 技術(shù)總監(jiān)
2018年9月-至今 芯恩(青島)集成電路有限公司 院士
近五年來從事科研工作的主要成果:
?1.January24, 2017, Semiconductor device and method for fabricating the same
?2.March15, 2016, Semiconductor device and method for fabricating the same
?3.6 May 2011, Study of nitrogen impact on VFB-EOT roll-off by varying interfacial SiO2 thickness, Solid-State Electronics
?4.2011 ON THE ORIGIN OF THE MOBILITY REDUCTION IN BULK-SI, UTBOX-FDSOI AND SIGE DEVICES WITH ULTRATHIN-EOT DIELECTRICS, IEEE
?5.November 9, 2010, High-K dielectric metal gate device structure
?6.2010, A Low Operating Power FinFET Transistor Module Featuring Scaled Gate Stack and Strain Engineering for 32/28nm SoC Technology, IEEE
?7.2010, Implant-Free SiGe Quantum Well pFET: A novel, highly scalable and low thermal budget device, featuring raised source/drain and high-mobility channel, IEEE
?8.2010, High-Mobility 0.85nm-EOT Si0.45Ge0.55-pFETs: Delivering high performance at scaled VDD IEEE
?9.2010, 6Å EOT Si0.45Ge0.55 pMOSFET with Optimized Reliability (VDD=1V): Meeting the NBTI Lifetime Target at Ultra-Thin EOT, IEEE
?10.Dec1, 2009, High-k dielectric metal gate device structure and method for forming the same