肖德元，男，江西泰和人，1984年于南昌大學獲半導體物理專業理學學士學位。1987年考取中國科學院研究生院碩博連讀研究生，于1990年獲半導體器件專業理學碩士學位和所長獎學金一等獎。1993年考取美國康奈爾大學電氣工程學院碩博連讀研究生（受當時國家政策規定限制，未能就讀）。IEEE和ECS的會員, 國際《微電子》雜志和中國物理快報（英文版）的審稿員，中科院副研究員，中國專利審查技術專家庫專家，中國九三學社社員。
工作經歷：
1984年至1987年，留校任南昌大學助教。
1990年起，任職中國科學院上海微系統與信息技術研究所，先后擔任助理研究員、副研究員，國家科技重大專項（02專項）課題組長兼首席科學家。
從1996年至1998年，加入美國諾發系統有限公司任高級現場服務工程師。作為訪問學者到麻省理工學院和貝爾實驗室短期工作訪問。
從1998年至2001年，加入特許半導體（現在的格羅方德）公司擔任高級工程師。隨后，加入中芯國際集成電路制造有限公司，目前擔任技術研發中心副主任技術專家，專利技術委員會聯合主席。
1995年，他與合作者在國際上首次采用離子束銑技術研制成功雙焦距微透鏡陣列，現被用于圖形化藍寶石襯底制造，廣泛應用于氮化物基LED產業。
2005年, 他作為第一作者發明并研制成功平面分離雙柵場效應晶體管(PSDG MOSFET)。該成果獲得上海市暨浦東新區科協優秀論文一等獎，并由<<場效應管基礎與應用實務>>（吳紅奎，科學出版社，北京，2011）一書所收錄。2005年他發明無結全包圍柵納米線場效應晶體管（US8884363 System and method for integrated circuits with cylindrical gate structures）。
2009年首次發表該器件基于溝道全耗盡的緊湊型模型并推導出該器件的電流-電壓方程表達式, 有學者在IEEE EDL雜志上引用他開拓性文章。國際領先的半導體公司，如英特爾，IBM及三星等表現出對該新穎器件的強烈興趣。
自2010年，J. P. Colinge教授成功研制出三柵無結場效應晶體管并在“自然”雜志上發表以后，無結全包圍柵納米線場效應管被確認為具備納米級晶體管按比例縮小能力以及三維堆疊芯片的強有力候選器件。他撰寫或與他人合作撰寫了兩本半導體專業書籍，在國際會議及出版刊物上發表超過30篇技術論文，多數為SCI或EI收集。獲得50件美國/歐洲和100件中國授權專利。他的主要研究領域包括新穎半導體及超導器件，先進CMOS技術，SOI材料和器件。
