8月10-13日，第十八屆中國研究生電子設計競賽全國總決賽在東莞舉辦。我院電子信息學院由蔣成老師和張子旸教授指導的“激”水成淵-推動飛秒激光器半導體光電子芯片國產替代作品拿到了商業計劃書類國家級一等獎、最具有投資價值獎和最佳路演獎，蔣成老師榮獲全國總決賽優秀指導教師獎。
半導體可飽和吸收鏡（SESAM）是采用半導體材料和工藝制造的一種用于被動鎖模產生超短脈沖激光的核心器件。超快激光在材料加工、醫療、激光雷達和光通訊等各個領域具有廣泛的應用；巨大的市場需求和國家的大力支持都將會進一步推動我國SESAM制造及超快激光器的技術進步，加快實現高端SESAM國產替代的步伐。
針對實現高性能、高穩定的SESAM，我們自主研發設計并制作了一款新型SESAM，主要技術路線包括以下內容：
1.利用MBE外延生長技術制備低飽和通量的量子點SESAM；
2.利用金屬納米顆粒嵌入及表面亞波長納米光柵結構的制備形成超表面結構,提高SESAM的光吸收能力；
3.超快激光系統集成。
項目創新點包括：
1.制作的SESAM所采用飽和吸收區是量子點結構而非傳統商用的量子阱結構，并創新性地引入“兩步停頓量子點生長法”以及新型短周期超晶格蓋層結構，獲得均勻性更好、密度更高、發光強度更強的量子點SESAM元器件。
2.新型超表面結構：在SESAM介質膜蓋層中嵌入金屬納米顆粒，設計并制作合適周期的亞波長金屬光柵微納結構，利用金屬的表面等離子共振效應提高器件光吸收能力。
參賽團隊成員為我院三名研究生：黃彥程，楚惠媛，劉博淵，項目基于4篇已授權發明專利，及已發表的相關高水平論文2篇。
本屆大賽，全國八大賽區共有來自333所高校及科研院所的6289支隊伍參賽，其中商業計劃書賽道，1600余支參賽，79支進入國賽。79支隊伍分為4組競選一、二、三等獎，其中一等獎占20%。經過第一輪比賽每一組經過5位評委選出2支晉級隊，4組共8支隊伍進行第二輪比賽，由20位評委投票選出最佳最具投資價值獎、最佳路演獎。賽后專家會對獲獎團隊一對一地溝通交流，后續項目落地和投融情況。
（最具商業價值獎頒獎儀式）
（一等獎頒獎儀式）
（團隊合照）
