近日，我院單福凱教授課題組在微電子器件研究領域取得重要進展，其研究成果“Solution-Processed SrOx-Gated Oxide Thin-Film Transistors and Inverters”在國際微電子領域權威期刊IEEE Transactions on Electron Devices發表, 論文鏈接http://doi.org/10.1109/TED.2017.2742060。該論文以單福凱教授和劉國俠教授為通訊作者，碩士生范彩璇為第一作者。該期刊接收發表微電子器件相關的前沿科研成果。
IEEE（電氣和電子工程師協會）是目前全球最大的非營利性專業技術學會，其會員人數超過40萬人，遍布160多個國家和地區。IEEE致力于電氣、電子、計算機工程和與科學有關領域的研究與開發，現已發展成為具有極大影響力的國際學術組織。IEEE Transactions on Electron Devices是IEEE出版社旗下的微電子領域的權威期刊，在國際微電子領域享譽盛名。
21世紀在顯示領域是平板顯示的時代，而絕大多數平板顯示器件都是有源矩陣液晶顯示器件（AMLCD）。在AMLCD像素中引入薄膜晶體管（TFT）開關元件和存貯電容，可大大提高顯示器件性能，這使得TFT成為液晶乃至整個平板顯示的主導技術。具有高介電常數的薄膜電子材料一直是該研究領域的重心，同時也是低功耗顯示器、CMOS集成電路必不可少的組成部分。
單福凱課題組長期從事介電材料、半導體材料及微電子器件的研究，致力于研發超薄高k介電材料取代傳統SiO2，通過操作簡單、價格低廉的溶膠旋涂技術制備了高k介電SrO薄膜并且系統地研究了退火條件對SrO薄膜的形成和特性的影響。最后，該工作將SrO薄膜集成在TFT和反相器中，在低壓3V下操作穩定并展現出了良好的電學性能，對于低功耗、便攜、柔性電子器件的研發具有重要的意義。最近幾年，采用低成本溶膠凝膠旋涂技術在高k介電TFT器件領域取得一系列重要進展（Adv. Funct. Mater., 2015, 25, 7180；J. Mater. Chem. C, 2016, 4, 10715; Appl. Phys. Lett., 2016, 109, 183508）。這次發表在IEEE Transactions on Electron Devices上的研究工作標志著該課題組在低功耗、高性能、低成本微電子器件領域開創并引領著新的科研方向。
該研究工作得到了國家自然科學基金委多個面上項目(“高性能p溝道氧化物薄膜晶體管的制備及器件集成”、“溶液法制備超薄高k介電層和InMZnO體系透明薄膜晶體管的關鍵問題研究”和“全水溶液工藝的高k介電薄膜的低溫制備及TFT器件的集成”)專項資金的經費支持。
課題組熱情歡迎有志從事微電子器件研究的本科生和研究生加入團隊，共創輝煌。
