我院單福凱教授課題組在微電子器件研究領(lǐng)域再次取得重要進展。該組一篇研究論文“Hole mobility modulation of solution-processed nickel oxide thin-film transistor based on high-k dielectric”在電子器件領(lǐng)域著名刊物《Applied Physics Letters》上在線發(fā)表，影響因子為3.3。論文鏈接：http://dx.doi.org/10.1063/1.4953460。
目前p型半導(dǎo)體材料一直是微電子器件集成亟待突破的重點研究領(lǐng)域，同時也是低功耗CMOS集成電路必不可少的組成部分。該論文運用廉價的溶膠凝膠打印技術(shù)制備了p型氧化鎳（NiO）半導(dǎo)體薄膜并探索其在低壓薄膜晶體管Thin-Film Transistors（TFTs）上的應(yīng)用。這也是世界范圍內(nèi)首次利用廉價的溶膠技術(shù)制備p型NiO TFT器件。電學(xué)測試結(jié)果表明NiO TFT可以在2 V低壓下穩(wěn)定操作，僅利用干電池即可驅(qū)動，同時器件具備極高的空穴遷移率（~4.4 cm2/Vs）。該工作對低能耗CMOS器件的研發(fā)具有重要的意義。
該研究工作得到了兩項國家自然科學(xué)基金面上項目的資助支持【溶液法制備超薄高k介電層和InMZnO體系透明薄膜晶體管的關(guān)鍵問題研究（項目研究期間四年：2015.1.1-2018.12.31），項目編號51472130；全水溶液工藝的高k介電薄膜的低溫制備及TFT器件的集成（項目研究期間四年：2016.1.1-2019.12.31），項目編號51572135】專項資金的經(jīng)費支持
