日前，我院單福凱教授課題組在微電子器件領(lǐng)域再次取得重要進(jìn)展。該組一篇研究論文“High-mobility p-type NiOx thin-film transistors processed at low temperatures with Al2O3 high-k dielectric”在光電材料領(lǐng)域著名刊物《Journal of Materials Chemistry C》上發(fā)表，影響因子為5.066。論文鏈接http://dx.doi.org/10.1039/C6TC02137A。該論文巧妙地利用超薄高介電常數(shù)材料代替?zhèn)鹘y(tǒng)SiO2介電層，實(shí)現(xiàn)了高遷移率p型NiO薄膜晶體管(thin-film transistor, TFT)。器件空穴遷移率達(dá)到25 cm2/Vs，該遷移率為世界之最。該工作克服了目前p型TFT器件由于過低空穴遷移率而不能應(yīng)用的瓶頸，提出了實(shí)現(xiàn)高空穴遷移率TFT的新途徑。對低能耗、高性能CMOS器件的研發(fā)具有重要的意義。
該研究工作得到了國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目的支持【溶液法制備超薄高k介電層和InMZnO體系透明薄膜晶體管的關(guān)鍵問題研究；全水溶液工藝的高k介電薄膜的低溫制備及TFT器件的集成；高性能P溝道氧化物薄膜晶體管的制備及器件集成】。
