2016年10月20日，我院單福凱教授課題組在微電子柔性顯示領(lǐng)域再次取得重要進展，兩篇重量級SCI文章同一天被著名期刊接受發(fā)表。
其中一篇 “Solution-processed high-k magnesium oxide dielectrics for low-voltage oxide thin-film transistors”發(fā)表在國際著名電子期刊《Applied Physics Letters》，影響因子為3.142，論文鏈接為 http://dx.doi.org/10.1063/1.4966897 。該論文首次運用溶液法制備出高性能透明氧化鎂介電層薄膜，并成功制備出基于氧化鎂薄膜的高性能TFT，系統(tǒng)的研究了溫度對介電層薄膜以及TFT性能的影響。
另一篇“Low-temperature, nontoxic water-induced high-k zirconium oxide dielectrics for low-voltage, high-performance oxide thin-film transistors” 在光電材料和器件領(lǐng)域著名刊物《Journal of Materials Chemistry C》上發(fā)表，影響因子為5.066，論文鏈接地址為：http://dx.doi.org/10.1039/C6TC02607A，該論文運用廉價環(huán)保的水溶膠技術(shù)低溫制備了超薄氧化鋯（ZrOx）介電層薄膜并探索了其在低壓n型、p型溝道thin film transistors（TFTs）上的應(yīng)用, 為低功耗顯示器、CMOS集成電路的發(fā)展奠定了基礎(chǔ)。
該研究工作得到了多項國家自然科學基金面上項目的支持【溶液法制備超薄高k介電層和InMZnO體系透明薄膜晶體管的關(guān)鍵問題研究；全水溶液工藝的高k介電薄膜的低溫制備及TFT器件的集成；高性能P溝道氧化物薄膜晶體管的制備及器件集成】
