楊振宇博士在自然指數(shù)（Nature Index）期刊《Applied Physics Letters》上發(fā)表重要成果并被選為“Editor's Pick”

  目前研究人員利用二維(2D)半導(dǎo)體沒(méi)有懸掛鍵的理想層狀結(jié)構(gòu)，構(gòu)建了不同探測(cè)原理的二維半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)光探測(cè)器，分別具有高響應(yīng)度、高探測(cè)率、寬波段探測(cè)和快速響應(yīng)等優(yōu)良特性。但是，對(duì)于二維半導(dǎo)體光伏型(photovoltaic)光探測(cè)器和光電導(dǎo)(photoconductive)探測(cè)器的性能對(duì)比仍然缺乏系統(tǒng)和詳細(xì)的解釋。因此，隨著二維半導(dǎo)體光探測(cè)器的研究深入，迫切需要開(kāi)展光伏型和光導(dǎo)型探測(cè)器原理和性能的對(duì)比研究。

        基于此，楊振宇團(tuán)隊(duì)使用p型半導(dǎo)體GeSe和n型半導(dǎo)體MoS2，構(gòu)建了基于GeSe/MoS2異質(zhì)結(jié)的光伏型光探測(cè)器；同時(shí)，由于Graphene的費(fèi)米能級(jí)和GeSe的費(fèi)米能級(jí)十分接近，使用Graphene作為接觸電極，構(gòu)建了GeSe/Graphene異質(zhì)結(jié)的光電導(dǎo)型光探測(cè)器，系統(tǒng)地解釋了它們?cè)诠馓綔y(cè)方面的差異。在光探測(cè)性能方面，在擊穿電壓以內(nèi)，施加反向偏壓時(shí)，無(wú)論反向偏壓如何變化，GeSe/MoS2的光伏型光探測(cè)器的光電流等光探測(cè)性能基本保持不變，只與光照強(qiáng)度有關(guān)，并且其具有較快的光響應(yīng)速度。與GeSe/MoS2的光伏型光探測(cè)器相比，GeSe/Graphene的光電導(dǎo)型光探測(cè)器的光電流等光響應(yīng)特性不僅隨著光照強(qiáng)度發(fā)生變化，也會(huì)隨著反向偏壓的增加而增強(qiáng)。造成這種現(xiàn)象的主要原因是：光伏型光探測(cè)器在反向偏壓下導(dǎo)電模式是耗盡區(qū)中的少數(shù)載流子導(dǎo)電，控制光電流的主要因素是少數(shù)載流子的數(shù)目，這只與光照強(qiáng)度正相關(guān)，而與反向偏壓的大小無(wú)關(guān)。而光電導(dǎo)型探測(cè)器因其傳導(dǎo)模式是無(wú)障礙區(qū)域中的多數(shù)載流子傳輸，施加反向偏壓的大小與影響其載流子傳輸速度，從而影響光電流的大小。  

該論文第一作者為楊振宇博士，單福凱博士為通信作者。該研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金和青島大學(xué)引進(jìn)人才科研啟動(dòng)金的支持。

文章鏈接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/1.5143961

文章DOI：10.1063/1.5143961

簡(jiǎn)介：

楊振宇，男，1991年1月生，山東青島人，研究生，博士，中共黨員，現(xiàn)為青島大學(xué)特聘教授二層次人才、電子信息學(xué)院教師。2014年畢業(yè)于武漢大學(xué)物理學(xué)院，獲得材料物理專業(yè)理學(xué)學(xué)士學(xué)位；2019年畢業(yè)于武漢大學(xué)物理學(xué)院，獲得凝聚態(tài)物理專業(yè)理學(xué)博士學(xué)位。2019年10月加入青島大學(xué)電子信息學(xué)院。

目前研究方向?yàn)槎S半導(dǎo)體器件與光電子器件。研究重點(diǎn)是通過(guò)二維半導(dǎo)體的異質(zhì)集成構(gòu)建二維半導(dǎo)體范德華異質(zhì)結(jié)器件，探索其在結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管、存儲(chǔ)器、光探測(cè)器等方面的應(yīng)用。發(fā)表SCI論文十余篇，其中以第一作者身份在SCI發(fā)表影響因子過(guò)十的論文四篇。